La capacidad actual de realizar depósitos de materiales dieléctricos en el instituto NTC a escala micro/nanométrica y nivel de oblea está limitada a técnicas de depósito químico en fase vapor (CVD). Se dispone de equipos de depósito químico de vapor mejorados con plasma cuales ofrecen películas delgadas dieléctricas amorfas. El proceso ALD consiste en el crecimiento de una película delgada por capas atómicas consecutivas. El hecho de disponer de un equipo ALD que además de aumentar la capacidad de fabricación, ofrecerá uniformidad y conformidad de la película en cualquier escala y tendría un claro impacto sobre la calidad de la investigación realizada al igual que sobre las capacidades ofertadas por el Instituto NTC sería muy alto. ALD es la técnica más avanzada en recubrimiento de película delgada debido al control preciso del espesor de película (nm) que ofrece. Las películas producidas por esta técnica son densas, sin poros y sin defectos, y las condiciones en las que se lleva a cabo el proceso, 1-10 hPa 200-400ºC, son lo suficientemente suaves para ser utilizada con sustratos sensibles. Este tipo de proceso es fundamental también a la hora de trabajar con clientes externos y suministrar controles de calidad y especificaciones técnicas de los dispositivos fabricados. A medida que la industria de los semiconductores sigue evolucionando, el tamaño cada vez más fino de los dispositivos hace que sea especialmente importante encontrar o desarrollar técnicas más avanzadas de crecimiento de películas finas que requieran baja temperatura, una gran precisión en el espesor de la película y una excelente conformabilidad en estructuras tridimensionales (3D). Por tanto, este centro carece de equipamiento necesario que permita asegurar la calidad y cumplimiento de especificaciones a nivel nanométrico durante el proceso de fabricación. Para suplir estas carencias, se solicita la adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas de varios óxidos.
Plazo
El plazo para la recepción de ofertas era de 2025-06-16.
La contratación se publicó en 2025-05-30.
Anuncio de licitación (2025-05-30) Objeto Alcance de la contratación
Título: Adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas (ALD) de óxido de aluminio, óxido de titanio y óxido de hafnio
Número de referencia: MY25/IUTNA/S/20
Breve descripción:
“La capacidad actual de realizar depósitos de materiales dieléctricos en el instituto NTC a escala micro/nanométrica y nivel de oblea está limitada a...”
Breve descripción
La capacidad actual de realizar depósitos de materiales dieléctricos en el instituto NTC a escala micro/nanométrica y nivel de oblea está limitada a técnicas de depósito químico en fase vapor (CVD). Se dispone de equipos de depósito químico de vapor mejorados con plasma cuales ofrecen películas delgadas dieléctricas amorfas. El proceso ALD consiste en el crecimiento de una película delgada por capas atómicas consecutivas. El hecho de disponer de un equipo ALD que además de aumentar la capacidad de fabricación, ofrecerá uniformidad y conformidad de la película en cualquier escala y tendría un claro impacto sobre la calidad de la investigación realizada al igual que sobre las capacidades ofertadas por el Instituto NTC sería muy alto. ALD es la técnica más avanzada en recubrimiento de película delgada debido al control preciso del espesor de película (nm) que ofrece. Las películas producidas por esta técnica son densas, sin poros y sin defectos, y las condiciones en las que se lleva a cabo el proceso, 1-10 hPa 200-400ºC, son lo suficientemente suaves para ser utilizada con sustratos sensibles. Este tipo de proceso es fundamental también a la hora de trabajar con clientes externos y suministrar controles de calidad y especificaciones técnicas de los dispositivos fabricados. A medida que la industria de los semiconductores sigue evolucionando, el tamaño cada vez más fino de los dispositivos hace que sea especialmente importante encontrar o desarrollar técnicas más avanzadas de crecimiento de películas finas que requieran baja temperatura, una gran precisión en el espesor de la película y una excelente conformabilidad en estructuras tridimensionales (3D). Por tanto, este centro carece de equipamiento necesario que permita asegurar la calidad y cumplimiento de especificaciones a nivel nanométrico durante el proceso de fabricación.
Para suplir estas carencias, se solicita la adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas de varios óxidos.
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Tipo de contrato: Suministros
Productos/servicios: Maquinaria y aparatos microelectrónicos📦
Valor estimado sin IVA: 450 000 EUR 💰
Descripción
Descripción de la contratación:
“La capacidad actual de realizar depósitos de materiales dieléctricos en el instituto NTC a escala micro/nanométrica y nivel de oblea está limitada a...”
Descripción de la contratación
La capacidad actual de realizar depósitos de materiales dieléctricos en el instituto NTC a escala micro/nanométrica y nivel de oblea está limitada a técnicas de depósito químico en fase vapor (CVD). Se dispone de equipos de depósito químico de vapor mejorados con plasma cuales ofrecen películas delgadas dieléctricas amorfas. El proceso ALD consiste en el crecimiento de una película delgada por capas atómicas consecutivas. El hecho de disponer de un equipo ALD que además de aumentar la capacidad de fabricación, ofrecerá uniformidad y conformidad de la película en cualquier escala y tendría un claro impacto sobre la calidad de la investigación realizada al igual que sobre las capacidades ofertadas por el Instituto NTC sería muy alto. ALD es la técnica más avanzada en recubrimiento de película delgada debido al control preciso del espesor de película (nm) que ofrece. Las películas producidas por esta técnica son densas, sin poros y sin defectos, y las condiciones en las que se lleva a cabo el proceso, 1-10 hPa 200-400ºC, son lo suficientemente suaves para ser utilizada con sustratos sensibles. Este tipo de proceso es fundamental también a la hora de trabajar con clientes externos y suministrar controles de calidad y especificaciones técnicas de los dispositivos fabricados. A medida que la industria de los semiconductores sigue evolucionando, el tamaño cada vez más fino de los dispositivos hace que sea especialmente importante encontrar o desarrollar técnicas más avanzadas de crecimiento de películas finas que requieran baja temperatura, una gran precisión en el espesor de la película y una excelente conformabilidad en estructuras tridimensionales (3D). Por tanto, este centro carece de equipamiento necesario que permita asegurar la calidad y cumplimiento de especificaciones a nivel nanométrico durante el proceso de fabricación.
Para suplir estas carencias, se solicita la adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas de varios óxidos.
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Lugar de ejecución: Valencia/València🏙️
Duración: 9 (MONTH)
El plazo que figura a continuación se expresa en número de meses.
Criterios de adjudicación
Criterio de calidad (nombre): Características técnicas adicionales.
Criterio de calidad (ponderación): 40
Precio ✅
Precio (ponderación): 60
Título
Número de identificación del lote: LOT-0000
Procedimiento Tipo de procedimiento
Procedimiento abierto ✅
Procedimiento acelerado:
“Ante la necesidad de proceder a la adjudicación, formalización y ejecución del contrato en los plazos fijados para el desarrollo del Plan de Recuperación,...”
Procedimiento acelerado
Ante la necesidad de proceder a la adjudicación, formalización y ejecución del contrato en los plazos fijados para el desarrollo del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia y dada la complejidad de los trámites para la preparación de la documentación necesaria.
Dado que resultan impracticables los plazos y requisitos ordinarios de tramitación, se considera necesaria la tramitación de urgencia del expediente para poder cumplir los fines del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia, así como las medidas fijadas en el Instrumento Europeo de Recuperación (Next Generation EU) a fin de poder aplicar los fondos europeos.
Ver más Información administrativa
Plazo de recepción de las ofertas o solicitudes de participación: 2025-06-16 23:59:00 📅
Condiciones de apertura de las ofertas: 2025-06-18 09:00:00 📅
Condiciones de apertura de las ofertas (lugar): Sala Centro. Edificio Rectorado 1ª planta. Universitat Politècnica de València.
Lenguas en las que pueden presentarse las ofertas o solicitudes de participación: español 🗣️
Plazo mínimo durante el cual el licitador debe mantener la oferta: 2
Información jurídica, económica, financiera y técnica Condiciones del contrato
Condiciones de ejecución del contrato:
“Ver apartado X del cuadro de características..”
Información complementaria Procedimiento de revisión
Información precisa sobre los plazos de los procedimientos de revisión:
“hasta 2025-06-20+02:00” Información sobre flujos de trabajo electrónicos
Se aceptará la facturación electrónica
Se utilizará el pago electrónico
Fuente: OJS 2025/S 104-353456 (2025-05-30)