La técnica de DRIE (Deep Reactive Ion Etching) consiste en el grabado profundo y altamente preciso de materiales semiconductores, como el silicio, mediante un proceso de plasma reactivo. Este método permite la creación de estructuras tridimensionales con perfiles verticales y alta relación de aspecto, lo que es esencial en la fabricación de dispositivos fotónicos y microelectromecánicos (MEMS). Actualmente, el NTC trabaja en la fabricación de dispositivos fotónicos, pero no dispone de una técnica que permita realizar grabados profundos con la precisión y control que ofrece el DRIE. La implementación de esta técnica permitiría mejorar significativamente la calidad y las funcionalidades de los componentes fabricados, abriendo nuevas posibilidades en el diseño y fabricación de dispositivos avanzados. La técnica de espectroscopía de fotoluminiscencia, integrada directamente en la cámara de un equipo de ICP-DRIE permitirá un análisis preciso y en tiempo real de las propiedades ópticas de las muestras y de la geometría de las estructuras durante el proceso de grabado. También permite garantizar alta sensibilidad y resolución espectral, facilitando la medición de señales de baja intensidad y mejorando la capacidad de monitoreo en aplicaciones avanzadas. Su implementación asegura compatibilidad con sistemas de detección estándar y ofrece flexibilidad en la configuración experimental, lo que refuerza la versatilidad del equipo para investigación y desarrollo en materiales semiconductores y nanoestructuras. El NTC recibe cada vez más demanda externa de fabricación de aplicaciones como espejos ópticos incorporados a estructuras MEMS (micro-electromechanical systems) o detectores de tomografía medica u otro tipo de sensores que requieren ataques profundos en el silicio con alto factor de aspecto (25 o superior) (ratio de profundidad sobre anchura de una estructura grabada) y de momento intenta realizarlos con un proceso de grabado por plasma “estándar” pero no permite realizar ataques con factor de aspecto tan altos. Un equipo dedicado al ataque profundo del silicio (DRIE), que sea con el método “Bosch” o “criogénico” permitiría satisfacer esta demanda externa cada vez más creciente. La adquisición de un Equipo combinado ICP-DRIE y Espectrofotómetro para fotoluminiscencia “in-situ” representaría un avance estratégico para el instituto, tanto en investigación como en transferencia tecnológica. Este sistema permitiría realizar grabados de alta precisión y profundidad en silicio, lo que es esencial para el desarrollo de dispositivos fotónicos y microelectrónicos de última generación. Contar con esta capacidad mejoraría significativamente la competitividad del instituto, permitiendo la fabricación de estructuras tridimensionales complejas con alta resolución y uniformidad. Esto no solo potenciaría los proyectos internos, sino que también atraería colaboraciones con grupos de investigación y empresas que requieran procesos de micro fabricación avanzados. Además, el DRIE facilitaría el acceso a proyectos de investigación competitivos, superando una limitación actual debido a la falta de esta tecnología. La infraestructura solicitada posicionaría al NTC como un referente en fabricación de dispositivos nanofotónicos y MEMS, equiparando sus capacidades con los centros más avanzados de Europa. La capacidad de realizar grabados profundos y selectivos en obleas de hasta 8 pulgadas (compatible también con 6 pulgadas y muestras) supondría una ventaja diferenciadora, consolidando al NTC como un hub tecnológico único en su campo. En definitiva, este equipamiento no solo reforzaría la vanguardia científica del instituto, sino que también impulsaría su impacto en la industria, favoreciendo la innovación en fotónica integrada y micro/nanofabricación."
Plazo
El plazo para la recepción de ofertas era de 2025-12-04.
La contratación se publicó en 2025-11-19.
Anuncio de licitación (2025-11-19) Objeto Alcance de la contratación
Título: Equipo combinado ICP-DRIE y espectrofotómetro para fotoluminiscencia “in situ”
Número de referencia: MY25/IUTNA/S/75
Breve descripción:
La técnica de DRIE (Deep Reactive Ion Etching) consiste en el grabado profundo y altamente preciso de materiales semiconductores, como el silicio, mediante un proceso de plasma reactivo. Este método permite la creación de estructuras tridimensionales con perfiles verticales y alta relación de aspecto, lo que es esencial en la fabricación de dispositivos fotónicos y microelectromecánicos (MEMS). Actualmente, el NTC trabaja en la fabricación de dispositivos fotónicos, pero no dispone de una técnica que permita realizar grabados profundos con la precisión y control que ofrece el DRIE. La implementación de esta técnica permitiría mejorar significativamente la calidad y las funcionalidades de los componentes fabricados, abriendo nuevas posibilidades en el diseño y fabricación de dispositivos avanzados.
La técnica de espectroscopía de fotoluminiscencia, integrada directamente en la cámara de un equipo de ICP-DRIE permitirá un análisis preciso y en tiempo real de las propiedades ópticas de las muestras y de la geometría de las estructuras durante el proceso de grabado. También permite garantizar alta sensibilidad y resolución espectral, facilitando la medición de señales de baja intensidad y mejorando la capacidad de monitoreo en aplicaciones avanzadas.
Su implementación asegura compatibilidad con sistemas de detección estándar y ofrece flexibilidad en la configuración experimental, lo que refuerza la versatilidad del equipo para investigación y desarrollo en materiales semiconductores y nanoestructuras.
El NTC recibe cada vez más demanda externa de fabricación de aplicaciones como espejos ópticos incorporados a estructuras MEMS (micro-electromechanical systems) o detectores de tomografía medica u otro tipo de sensores que requieren ataques profundos en el silicio con alto factor de aspecto (25 o superior) (ratio de profundidad sobre anchura de una estructura grabada) y de momento intenta realizarlos con un proceso de grabado por plasma “estándar” pero no permite realizar ataques con factor de aspecto tan altos. Un equipo dedicado al ataque profundo del silicio (DRIE), que sea con el método “Bosch” o “criogénico” permitiría satisfacer esta demanda externa cada vez más creciente.
La adquisición de un Equipo combinado ICP-DRIE y Espectrofotómetro para fotoluminiscencia “in-situ” representaría un avance estratégico para el instituto, tanto en investigación como en transferencia tecnológica. Este sistema permitiría realizar grabados de alta precisión y profundidad en silicio, lo que es esencial para el desarrollo de dispositivos fotónicos y microelectrónicos de última generación.
Contar con esta capacidad mejoraría significativamente la competitividad del instituto, permitiendo la fabricación de estructuras tridimensionales complejas con alta resolución y uniformidad. Esto no solo potenciaría los proyectos internos, sino que también atraería colaboraciones con grupos de investigación y empresas que requieran procesos de micro fabricación avanzados.
Además, el DRIE facilitaría el acceso a proyectos de investigación competitivos, superando una limitación actual debido a la falta de esta tecnología. La infraestructura solicitada posicionaría al NTC como un referente en fabricación de dispositivos nanofotónicos y MEMS, equiparando sus capacidades con los centros más avanzados de Europa.
La capacidad de realizar grabados profundos y selectivos en obleas de hasta 8 pulgadas (compatible también con 6 pulgadas y muestras) supondría una ventaja diferenciadora, consolidando al NTC como un hub tecnológico único en su campo. En definitiva, este equipamiento no solo reforzaría la vanguardia científica del instituto, sino que también impulsaría su impacto en la industria, favoreciendo la innovación en fotónica integrada y micro/nanofabricación."
La técnica de DRIE (Deep Reactive Ion Etching) consiste en el grabado profundo y altamente preciso de materiales semiconductores, como el silicio, mediante un proceso de plasma reactivo. Este método permite la creación de estructuras tridimensionales con perfiles verticales y alta relación de aspecto, lo que es esencial en la fabricación de dispositivos fotónicos y microelectromecánicos (MEMS). Actualmente, el NTC trabaja en la fabricación de dispositivos fotónicos, pero no dispone de una técnica que permita realizar grabados profundos con la precisión y control que ofrece el DRIE. La implementación de esta técnica permitiría mejorar significativamente la calidad y las funcionalidades de los componentes fabricados, abriendo nuevas posibilidades en el diseño y fabricación de dispositivos avanzados.
La técnica de espectroscopía de fotoluminiscencia, integrada directamente en la cámara de un equipo de ICP-DRIE permitirá un análisis preciso y en tiempo real de las propiedades ópticas de las muestras y de la geometría de las estructuras durante el proceso de grabado. También permite garantizar alta sensibilidad y resolución espectral, facilitando la medición de señales de baja intensidad y mejorando la capacidad de monitoreo en aplicaciones avanzadas.
Su implementación asegura compatibilidad con sistemas de detección estándar y ofrece flexibilidad en la configuración experimental, lo que refuerza la versatilidad del equipo para investigación y desarrollo en materiales semiconductores y nanoestructuras.
El NTC recibe cada vez más demanda externa de fabricación de aplicaciones como espejos ópticos incorporados a estructuras MEMS (micro-electromechanical systems) o detectores de tomografía medica u otro tipo de sensores que requieren ataques profundos en el silicio con alto factor de aspecto (25 o superior) (ratio de profundidad sobre anchura de una estructura grabada) y de momento intenta realizarlos con un proceso de grabado por plasma “estándar” pero no permite realizar ataques con factor de aspecto tan altos. Un equipo dedicado al ataque profundo del silicio (DRIE), que sea con el método “Bosch” o “criogénico” permitiría satisfacer esta demanda externa cada vez más creciente.
La adquisición de un Equipo combinado ICP-DRIE y Espectrofotómetro para fotoluminiscencia “in-situ” representaría un avance estratégico para el instituto, tanto en investigación como en transferencia tecnológica. Este sistema permitiría realizar grabados de alta precisión y profundidad en silicio, lo que es esencial para el desarrollo de dispositivos fotónicos y microelectrónicos de última generación.
Contar con esta capacidad mejoraría significativamente la competitividad del instituto, permitiendo la fabricación de estructuras tridimensionales complejas con alta resolución y uniformidad. Esto no solo potenciaría los proyectos internos, sino que también atraería colaboraciones con grupos de investigación y empresas que requieran procesos de micro fabricación avanzados.
Además, el DRIE facilitaría el acceso a proyectos de investigación competitivos, superando una limitación actual debido a la falta de esta tecnología. La infraestructura solicitada posicionaría al NTC como un referente en fabricación de dispositivos nanofotónicos y MEMS, equiparando sus capacidades con los centros más avanzados de Europa.
La capacidad de realizar grabados profundos y selectivos en obleas de hasta 8 pulgadas (compatible también con 6 pulgadas y muestras) supondría una ventaja diferenciadora, consolidando al NTC como un hub tecnológico único en su campo. En definitiva, este equipamiento no solo reforzaría la vanguardia científica del instituto, sino que también impulsaría su impacto en la industria, favoreciendo la innovación en fotónica integrada y micro/nanofabricación."
Tipo de contrato: Suministros
Productos/servicios: Maquinaria y aparatos microelectrónicos📦
Valor estimado sin IVA: 375 000 EUR 💰
Descripción
Identificador interno: MY25/IUTNA/S/75
Enfoque para reducir el impacto ambiental: Otros
Objetivo social promovido: Otros
País: España 🇪🇸
Lugar de ejecución: Valencia/València🏙️
Duración: 4 meses Criterios de adjudicación
Criterio de calidad (nombre): Características técnicas adicionales.
Criterio de calidad (ponderación): 30
Precio ✅
Precio (ponderación): 70
Título
Número de identificación del lote: LOT-0000
Procedimiento Tipo de procedimiento
Procedimiento abierto ✅
Base jurídica: Directiva 2014/24/UE
Procedimiento acelerado:
Ante la necesidad de proceder a la adjudicación, formalización y ejecución del contrato en los plazos fijados para el desarrollo del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia y dada la complejidad de los trámites para la preparación de la documentación necesaria.
Dado que resultan impracticables los plazos y requisitos ordinarios de tramitación.
Se considera necesaria la tramitación de urgencia del expediente para poder cumplir los fines del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia así como las medidas fijadas en el Instrumento Europeo de Recuperación (Next Generation EU) a fin de poder aplicar los fondos europeos.
Ante la necesidad de proceder a la adjudicación, formalización y ejecución del contrato en los plazos fijados para el desarrollo del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia y dada la complejidad de los trámites para la preparación de la documentación necesaria.
Dado que resultan impracticables los plazos y requisitos ordinarios de tramitación.
Se considera necesaria la tramitación de urgencia del expediente para poder cumplir los fines del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia así como las medidas fijadas en el Instrumento Europeo de Recuperación (Next Generation EU) a fin de poder aplicar los fondos europeos.
Información administrativa
Plazo de recepción de las ofertas o solicitudes de participación: 2025-12-04 23:59:00 📅
Condiciones de apertura de las ofertas: 2025-12-10 09:00:00 📅
Condiciones de apertura de las ofertas (lugar): Sala Centro. Edificio Rectorado 1ª planta. Universitat Politècnica de València.
Lenguas en las que pueden presentarse las ofertas o solicitudes de participación: español 🗣️
Plazo mínimo durante el cual el licitador debe mantener la oferta: 2 meses Condiciones de la licitación
Fecha de apertura: 2025-12-10 09:00:00 📅
Lugar: Sala Centro. Edificio Rectorado 1ª planta. Universitat Politècnica de València.
Facturación electrónica: Obligatoria
Se utilizará el pago electrónico ✅ Criterios de adjudicación
Tipo de ponderación: Ponderación (puntos, exacto)
Condiciones de la licitación
El contrato contiene condiciones de ejecución ✅
Información jurídica, económica, financiera y técnica Condiciones de participación
Criterio de selección: Volumen de negocios anual general
Lista y breve descripción de las normas y criterios: Cifra anual de negocio
Criterio de selección: Referencias sobre entregas específicas
Lista y breve descripción de las normas y criterios: Trabajos realizados
Condiciones del contrato
Condiciones de ejecución del contrato: Ver apartado X del cuadro de características.
Condiciones de participación
Motivo de exclusión: Conflicto de intereses debido a su participación en el procedimiento de contratación
Descripción de los motivos de exclusión:
Conflicto de intereses debido a que el licitador haya participado en el procedimiento de contratación objeto de este contrato.
Información complementaria Procedimiento de revisión
Información precisa sobre los plazos de los procedimientos de revisión:
Advertir a los interesados que el presente acto pone fin a la vía administrativa. Contra el mismo se podrá interponer recurso Contencioso-Administrativo ante el órgano jurisdiccional competente de lo Contencioso-Administrativo de la Comunidad Valenciana, dentro del plazo de dos meses contados desde el día siguiente al de la recepción de la notificación de la presente Resolución. No obstante, los interesados podrán optar por interponer contra esta resolución un recurso de reposición, en el plazo de un mes, ante el mismo órgano que la dictó, en cuyo caso no cabrá interponer el recurso Contencioso-Administrativo anteriormente citado en tanto recaiga resolución expresa o presunta de recurso de reposición, de acuerdo con lo dispuesto en el artículo 123 y sig. de la ley 39/2015, de 1 de octubre del procedimiento administrativo común de las administraciones públicas (BOE 2 de octubre de 2015).
En los casos previstos en el artículo 44 de la Ley 9/2017, de 8 de noviembre de Contratos del Sector Público, advertir a los interesados que esta resolución es definitiva en vía administrativa y contra la misma podrá interponerse potestativamente recurso especial en materia de contratación regulado en dicho artículo, ante el órgano de contratación de la Universitat Politécnica de València. El plazo de interposición será de 15 días hábiles, contados a partir del siguiente a aquel en que se remita la notificación del acto impugnado.
En los supuestos de financiación por la U.E. (Fondos NEXT GENERATION),el plazo de interposición del recurso especial en materia de contratación, cuando proceda, será de 10 días naturales y se computará en la forma establecida en el artículo 50.1 de la Ley 9/2017, de 8 de noviembre.
Información precisa sobre los plazos de los procedimientos de revisión
Advertir a los interesados que el presente acto pone fin a la vía administrativa. Contra el mismo se podrá interponer recurso Contencioso-Administrativo ante el órgano jurisdiccional competente de lo Contencioso-Administrativo de la Comunidad Valenciana, dentro del plazo de dos meses contados desde el día siguiente al de la recepción de la notificación de la presente Resolución. No obstante, los interesados podrán optar por interponer contra esta resolución un recurso de reposición, en el plazo de un mes, ante el mismo órgano que la dictó, en cuyo caso no cabrá interponer el recurso Contencioso-Administrativo anteriormente citado en tanto recaiga resolución expresa o presunta de recurso de reposición, de acuerdo con lo dispuesto en el artículo 123 y sig. de la ley 39/2015, de 1 de octubre del procedimiento administrativo común de las administraciones públicas (BOE 2 de octubre de 2015).
En los casos previstos en el artículo 44 de la Ley 9/2017, de 8 de noviembre de Contratos del Sector Público, advertir a los interesados que esta resolución es definitiva en vía administrativa y contra la misma podrá interponerse potestativamente recurso especial en materia de contratación regulado en dicho artículo, ante el órgano de contratación de la Universitat Politécnica de València. El plazo de interposición será de 15 días hábiles, contados a partir del siguiente a aquel en que se remita la notificación del acto impugnado.
En los supuestos de financiación por la U.E. (Fondos NEXT GENERATION),el plazo de interposición del recurso especial en materia de contratación, cuando proceda, será de 10 días naturales y se computará en la forma establecida en el artículo 50.1 de la Ley 9/2017, de 8 de noviembre.
Información sobre flujos de trabajo electrónicos
Se aceptará la facturación electrónica
Fuente: OJS 2025/S 224-769926 (2025-11-19)